BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌
發(fā)布時(shí)間:2024-07-01 09:26:24 瀏覽:2504

BF998E6327HTSA1是Infineon英飛凌科技生產(chǎn)的一款硅N溝道MOSFET射頻放大器。這款器件專為射頻環(huán)境設(shè)計(jì),適用于放大和切換電子信號(hào)。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:
基本特性
最大功耗:200 mW
工作溫度范圍:-55 °C至150 °C
最大頻率:1000 MHz
工作模式:耗盡模式
封裝與運(yùn)輸
封裝:卷帶包裝,便于快速安裝和安全交付
技術(shù)規(guī)格
短通道晶體管:具有高S / C品質(zhì)因數(shù)
適用頻率:適用于低噪音、高達(dá)1 GHz的增益控制輸入
環(huán)保標(biāo)準(zhǔn):無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):符合AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
機(jī)頂盒
電視
車載收音機(jī)
電氣參數(shù)
門輸入電容(Cg1ss):2.1 pF
輸出電容(Cdss):1.1 pF
正向跨導(dǎo)(gfs):24 mS
功率增益(Gp):20 dB @ 800 MHz
最大連續(xù)漏電流(ID):30 mA
最大漏源電壓(Vds):12 V
噪聲系數(shù)(F):1.80 dB @ 800 MHz
總功耗(Ptot max):200 mW
封裝類型
封裝:SOT143
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
Linear Systems的3N170和3N171是單N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于快速切換和低漏源電阻應(yīng)用。它們具有低電阻(r_ds(on) ≤ 200Ω)、快速開關(guān)時(shí)間(t_d(on) ≤ 3.0ns),并可在-55至+135°C的結(jié)溫下工作。這些器件的連續(xù)功率耗散為300mW,最大電流為30mA,最大電壓為±35V(漏到柵和柵到源)和25V(漏到源)。
晶圓是制造半導(dǎo)體器件的基本原料。經(jīng)過60多年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,晶圓材料已經(jīng)形成了以硅為主體、半導(dǎo)體新材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)格局。高純度半導(dǎo)體是通過拉伸和切片的方法制成晶圓的。晶圓經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成微小的電路結(jié)構(gòu),再經(jīng)過切割、封裝、測(cè)試等工序制成芯片,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。
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