- 產品詳情
CLF3H0060-30 ；CLF3H0060S-30
寬帶射頻功率GaN HEMT:
CLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC 至 6.0 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝，支持連續波和脈沖應用。
選型：
特點和優勢:
30 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT
高效率
低熱阻
出色的堅固性
專為 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內的寬帶操作而設計
有關 RoHS 合規性，請參閱 Ampleon 網站上的產品詳細信息
ADS 和 MWO 中的大信號模型可在 Ampleon 網站上找到
