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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

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  Semelab RF VDMOS功率MOSFET 2025-12-01 09:18:23

  Semelab RF VDMOS功率MOSFET采用硅垂直DMOS與金金屬化工藝，1 MHz–1 GHz超寬帶、750 mW–400 W全功率段覆蓋，VHF增益20 dB、UHF 16 dB，可承受20:1 VSWR，12.5 V/28 V/50 V多電壓選項，全系列RoHS合規，提供鉆石增強封裝，廣泛應用于通信基站、國防干擾機、醫療及EMC測試等高可靠性場景。