WYO222MCMBF0KR陶瓷圓盤(pán)高頻電容器VISHAY
發(fā)布時(shí)間:2024-09-29 10:06:08 瀏覽:2501
WYO222MCMBF0KR是一款由VISHAY生產(chǎn)的單層陶瓷電容器。該電容器由兩面鍍銀的陶瓷盤(pán)構(gòu)成,這種設(shè)計(jì)有助于提高電容器的導(dǎo)電性能和可靠性。連接引線采用直徑為0.6毫米的鍍錫銅線,這種材料的選擇確保了良好的電氣連接和耐腐蝕性。

電容器提供直線或扭結(jié)引線兩種形式,引線間距可選擇5.0mm或7.5mm,以適應(yīng)不同的安裝需求。外部的涂層采用符合UL 94 V-0標(biāo)準(zhǔn)的藍(lán)色阻燃環(huán)氧樹(shù)脂,這種材料不僅提供了良好的機(jī)械保護(hù),還確保了電容器在高溫或火災(zāi)情況下的安全性。
在特性方面,WYO222MCMBF0KR符合IEC 60384-14標(biāo)準(zhǔn),具有高可靠性、寬范圍的電容值和多種引線風(fēng)格。它是一種單層交流圓盤(pán)安全電容器,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括X1和Y2類別的行對(duì)行濾波、線對(duì)地濾波、EMI/RFI抑制和濾波,以及主輔耦合(SMPS)。
電容范圍從1.0 nF到12 nF,電容公差為±20%。在500 VDC電壓下,絕緣電阻至少為6000 MΩ(60秒)。額定電壓根據(jù)應(yīng)用類別不同而有所區(qū)別,X1類為440 VAC, 50 Hz,而Y2類為250 VAC, 50 Hz。測(cè)試電壓包括2500 VAC, 50 Hz, 2秒的組件測(cè)試,以及1500 VAC, 50 Hz, 60秒的隨機(jī)抽樣測(cè)試和2000 VAC, 60 Hz, 60秒的耐電壓涂層測(cè)試。
規(guī)格參數(shù):
| CAPACITANCE C (pF) | CAPACITANCE TOLERANCE | B0DY DIAMETER DMAx. (mm) | B0DY THICKNESs SMax. (mm) | LEAD SPACING (1) F(mm) ±1 mm | LEAD DIAMETEB( 1 d (mm) ±0.05 mm | WIDTH(1 V(mm) ±0.5 mm | PART NUMBER |
| MISSING DIGITS SEE ORDERING cODE BELOW | |||||||
| 1000 | ±20 % | 6.5 | 4.5 | 5.0 | 0.6 | 1.4 | WYO102#CM###KR |
| 1500 | 8.0 | WYO152#CM###KR | |||||
| 1800 | 8.0 | WYO182#CM##KB | |||||
| 2200 | 9.0 | WYO222#CM###KR | |||||
| 2500 | 9.0 | WYO252#CM###KR | |||||
| 3300 | 11.0 | 7.5 | WY0332#CM###KR | ||||
| 4700 | 12.5 | WYO472#CM###KR | |||||
| 5000 | 12.5 | WYO502#CM###KR | |||||
| 6800 | 17.0 | 1.6 | WYO682#CM###KR | ||||
| 8200 | 17.0 | WYO822#CM###KR | |||||
| 10000 | 21.0 | WYO103#CM###KR | |||||
| 12000 | 21.0 | WYO123#CM###KR |
WYO332MCMYCRKR
WYO472MCMCRCKR
WYO222MCMBREKR
WYO222MCMYAOKR
WYO222MCMTARKR
WYO472MCMCRAKR
WYO222MCMBRCKR
WYO102MCMBDOKR
WYO102MCMTCRKR
WYO182MCMBLAKR
WYO332MCMCRBKR
WYO102MCMBRAKR
WYO502MCMCLAKR
WYO472MCMDRUKR
WYO472MCMBBOKR
WYO332MCMBRAKR
WYO222MCMCFOKR
WYO102MCMQCOKR
WYO222MCMCFGKR
WYO102KCMBLAKR
WYO102KCMBFOKR
WYO222MCMDRYKR
WYO102MCMBRCKR
WYO152MCMBBOKR
WYO252MCMTARKR
相關(guān)推薦:
Vishay威世VS-FC270SA20功率MOSFET模塊
更多vishay相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的N溝道功率MOSFET,額定電壓為100V,最大漏極電流33A,功耗140W,結(jié)溫175°C,具有寬安全工作區(qū)和高電流處理能力。該器件優(yōu)化了低頻應(yīng)用性能,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),廣泛應(yīng)用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明系統(tǒng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等高功率場(chǎng)景。
Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器,專為高性能模擬信號(hào)處理設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性;電氣性能方面,有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗,具備高跨導(dǎo)、高共模抑制比、低噪聲系數(shù);提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項(xiàng);適用于音頻放大、精密測(cè)量設(shè)備、傳感器信號(hào)調(diào)理等高精度高可靠性應(yīng)用。
在線留言